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       近日，清华大学唐飞等人发表的关于飞秒激光改性加速6H-SiC的ICP刻蚀论文被全球著名科技媒体机构“工程进展“（Advances in Engineering，AIE）遴选为关键科学文章，并以“Accelerated ICP etching of 6H-SiC by femtosecond laser modification”为题进行了重点报道。

       AIE成立于2005年，其主要目的是及时快速的报道工程领域重要的科学研究成果和创新技术。AIE所报道的论文都是由国际专家顾问组选出，每周特别报道的优秀论文数量仅20篇，方向包括材料、化学、电子、机械、土木、生物医学工程及通用工程中（航空航天、通讯、计算机、农业、工业，中选率为以上领域发表论文总数的1‰。被AIE报道的论文需要具有特殊的科学重要性并能够被广大科学读者所理解。AIE拥有广泛的的读者群，每月的阅读量高达65万次，除受到全球研究机构的关注外，也被全球排名前50的工程公司所链接，用于跟踪全球最新突破性科技进展。

       碳化硅正逐渐取代硅，成为制造微机电系统（MEMS）器件的潜在材料，特别是在极端温度下。为了提高SiC MEMS器件的性能，研究人员主要致力于处理和制造不同类型的基于碳化硅的微结构和纳米结构。然而，碳化硅（SiC）的高稳定性仍然是要克服的挑战。在可利用的MEMS制造技术中，由于可控制的高等离子体密度，蚀刻工艺尤其是电感耦合等离子体蚀刻是广泛优选的。不幸的是，当前的电感耦合等离子体蚀刻速率不能满足期望的实际需求，因此需要进行改进。这需要了解刻蚀机的性能增强以及通过对目前尚未开发的碳化硅进行预处理来提高现有刻蚀机的刻蚀速率的知识。

       就此，清华大学唐飞团队提出了一种将电感耦合等离子体蚀刻和飞秒激光改性相结合的超快蚀刻6H-SiC单晶的方法。主要目的是研究单脉冲能量和飞秒激光扫描速率对6H-SiC感应耦合等离子体刻蚀速率的影响。本研究首先通过飞秒激光处理6H-SiC衬底以产生照射区域，接下来对样品进行感应耦合等离子体蚀刻，以确定蚀刻速率的任何变化。然后，比较了6H-SiC样品在处理之前，飞秒激光照射之后和ICP蚀刻之后化学结构和表面粗糙度的变化。最后，分析了激光辐照后感应耦合等离子体蚀刻速率增加的原因。这项工作发表在《Applied Surface Science》杂志上。

       清华大学的研究团队证明了通过飞秒激光修饰加速感应耦合等离子体刻蚀6H-SiC的可行性。与常规蚀刻方法相比，该方法显着提高了蚀刻速率并减少了总蚀刻时间。因此，可以将其应用于SiC基MEMS器件的制造中以提高生产效率。该研究将为SiC基电子元件的进一步技术开发铺平道路。

       Advances in Engineering（AIE）报道链接：https://advanceseng.com/accelerated-icp-etching-6h-sic-femtosecond-laser-modification